大(dà)家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidig盱眙的邮编号码是多少啊m 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以及(jí盱眙的邮编号码是多少啊)存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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