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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析台湾领导者是谁，现任台湾领导者是谁(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫台湾领导者是谁，现任台湾领导者是谁存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)台湾领导者是谁，现任台湾领导者是谁游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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