大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 杨志性格特点及主要事迹概括，杨志性格特点及主要事迹100字Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存杨志性格特点及主要事迹概括，杨志性格特点及主要事迹100字(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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