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姝妤怎么念,姝妤字怎么读音是什么 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则(zé)突发消息。

  美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

  据网信办消息,日(rì)前(qián),网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

  审(shěn)查发现,美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患,对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险(xiǎn),影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此,网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规,我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查,目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放,只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要(yào)求,欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发(fā)文称(chēng),为保障关键信息基(jī)础设施供(姝妤怎么念,姝妤字怎么读音是什么gōng)应链(liàn)安全,防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险,维护(hù)国家安全,依(yī)据《中华(huá)人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》,网络安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查。

  半(bàn)导(dǎo)体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57%降至(zhì)2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

  美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降,至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商,采(cǎi)购约31亿(yì)元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原(姝妤怎么念,姝妤字怎么读音是什么yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约,确保存(cún)储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下(xià)游市场的供应优势,公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

  有(yǒu)券商此前(qián)就分析(xī),如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制,或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

  分析(xī)称,长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤(zhòu),同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到(dào) 60:1的深(shēn)孔(kǒng),未(wèi)来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽,催生更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露,薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75%。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美姝妤怎么念,姝妤字怎么读音是什么(měi)国限制名单,设(shè)备国产(chǎn)化进程加(jiā)速(sù),看好拓荆(jīng)科(kē)技(薄(báo)膜(mó)沉(chén)积)等相关(guān)公(gōng)司份额(é)提升(shēng),以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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