大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A陈万年教子文言文翻译注释和启示，文言文《陈万年教子》翻译股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披(pī)露过(guò)美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(b陈万年教子文言文翻译注释和启示，文言文《陈万年教子》翻译ō)龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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