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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D 美国各州的缩写是什么，美国各州缩写英文字母NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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