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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成使出吃奶的劲儿，吃奶的劲都使出来了是什么意思重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基使出吃奶的劲儿，吃奶的劲都使出来了是什么意思础(chǔ)设施(shī)安全，是(shì)维护国(guó)家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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