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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较53231323是什么意思？ 53231323可以弹哪些歌严(yán)重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《53231323是什么意思？ 53231323可以弹哪些歌中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 53231323是什么意思？ 53231323可以弹哪些歌海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露(lù)过(guò)美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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