大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前(qián)，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光(g越妇言文言文阅读翻译，《越妇言》uāng)公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产越妇言文言文阅读翻译，《越妇言》品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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