大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公(gōng阴肖有哪几个生肖)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降(阴肖有哪几个生肖jiàng)，至少(shǎ阴肖有哪几个生肖o)已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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