大家好，来看(kàn)一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)过生日小寿星一般指几岁,十八岁可以叫小寿星吗，18岁生日可以叫小寿星吗ng>

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与过生日小寿星一般指几岁,十八岁可以叫小寿星吗，18岁生日可以叫小寿星吗三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。