大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　日本还有能力侵华吗，日本敢不敢侵略中国ong>美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(日本还有能力侵华吗，日本敢不敢侵略中国qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美(měi)国(guó)限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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