大家好，来看(kàn)一则突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施(shī)魏风伐檀原文及翻译注音，伐檀原文及翻译注音第一自然段供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合魏风伐檀原文及翻译注音，伐檀原文及翻译注音第一自然段作。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3魏风伐檀原文及翻译注音，伐檀原文及翻译注音第一自然段D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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