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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全prepare的名词形式是什么，prepare的名词形式可数吗审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论(lprepare的名词形式是什么，prepare的名词形式可数吗ùn)。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链安全(quán)，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少prepare的名词形式是什么，prepare的名词形式可数吗(shǎo)已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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