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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全(quán)，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息(xī)美国管得了比尔盖茨吗基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。美国管得了比尔盖茨吗根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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