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abo文是什么意思 abo文是谁发明的 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

  据网信(xìn)办消息,日(rì)前,网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

  审查发现,美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题(tí)隐患,对我国(guó)关键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成重大(dà)安(ān)全风(fēng)险,影响我(wǒ)国国(abo文是什么意思 abo文是谁发明的guó)家安全。为(wèi)此,网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规,我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

  此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查,目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设施安(ān)全(quán),是维护国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放,只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求,欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

  半导体(tǐ)突发!中国(guó)出手:停止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文(wén)称,为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全,防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险,维护国家安全,依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法》,网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》,对(duì)美光公司(sī)(Micron)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安(ān)全审查。

  半导体突发!中(zhōng)国(guó)出(chū)手:停止采购!

  美光是abo文是什么意思 abo文是谁发明的美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头,也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一,2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57%降至2022年(nián)约11%。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存(cún))市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司(sī)披(pī)露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

  美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降,至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约,确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的(de)稳定性,巩固公司在下游市场的供应优势,公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì),或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu),同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo),催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露,薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75%。自长江存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单,设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升,以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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