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　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(g感应电流公式3个公式推导，感应电流公式3个公式图解ōng)应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂感应电流公式3个公式推导，感应电流公式3个公式图解或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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