大家好(hǎo)，来看(kàn)一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入中国市场。

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　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Mic一立方分米等于多少升 一立方分米等于多少斤ron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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