大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国(guó)市(shì)场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储(外国保质期日期是什么顺序 mfd是生产日期吗chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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