大家好，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐(y华大基因是国企吗ǐn)患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全(quán)，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球华大基因是国企吗(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(s华大基因是国企吗hǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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