大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市(shì)场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司披(pī)露过(guò)美光等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi成大事者必先苦其心志劳其筋骨什么意思，干大事者必先苦其心志劳其筋骨什么意思)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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