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　　美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品(昆仑山在哪个省哪个市，昆仑山在哪个省哪个市哪个县pǐn)存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内(昆仑山在哪个省哪个市，昆仑山在哪个省哪个市哪个县nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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