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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)碾压与辗轧的区别是什么，辗轧与碾压有什么区别星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、碾压与辗轧的区别是什么，辗轧与碾压有什么区别盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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