大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全(q融为一体到底有多舒服，两人融为一体的描写uán)。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(niá融为一体到底有多舒服，两人融为一体的描写n)美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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