大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此怎么测信息素，免费测abo性别和信息素气味次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和国国家安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 怎么测信息素，免费测abo性别和信息素气味