大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品<阳光女孩用英语怎么写啊怎么读，阳光女孩用英语怎么写啊翻译/p>

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在阳光女孩用英语怎么写啊怎么读，阳光女孩用英语怎么写啊翻译已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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