大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(q发小是男的还是女的啊 发小是指什么关系uán)问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础(chǔ发小是男的还是女的啊 发小是指什么关系)设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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