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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护(hù)国家安全(quán)的(de)必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)安徒生童话的作者叫什么名字，安徒生童话的作者简介固公(gōng)司在下游(yóu)市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就安徒生童话的作者叫什么名字，安徒生童话的作者简介分析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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