大家好(hǎo)，来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础(chǔ)设(s风紧扯呼下一句是什么 风紧扯呼出自哪里hè)施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng风紧扯呼下一句是什么 风紧扯呼出自哪里0; line-height: 24px;'>风紧扯呼下一句是什么 风紧扯呼出自哪里)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 风紧扯呼下一句是什么 风紧扯呼出自哪里