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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络(luò)安(ān)全(quán)审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

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　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(y儿童兴趣班有哪些项目排名，十大最无用的兴趣班ào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速(sù)，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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