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扶大厦之将倾全诗解释,扶大厦之将倾 挽狂澜于既倒原文

扶大厦之将倾全诗解释,扶大厦之将倾 挽狂澜于既倒原文 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好(hǎo),来看一则突发消(xiāo)息。

  美光公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

  据网信办消息,日前,网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

  审查发现,美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患,对我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险,影响我国国(guó)家安(ān)全。为此,网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规,我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

  此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查,目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全,是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半导体突发!中国(guó)出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发(fā)文称,为保障关键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全,防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险,维护国家安(ān)全,依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》,网络安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全(quán)审查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查。

  半(bàn)导体突(tū)发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头,也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī),2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降,至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商(shāng),采购约31亿元(yuán),占(zhàn)比33.52%;2022年,江扶大厦之将倾全诗解释,扶大厦之将倾 挽狂澜于既倒原文波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势,公司(sī)也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

  有券商(shāng)此前就分(fēn)析,如果美光在中国(guó)区销售受到限制,或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì),国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加扶大厦之将倾全诗解释,扶大厦之将倾 挽狂澜于既倒原文(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能(néng)会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽,催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单(dān),设备国产化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公(gōng)司份额提升,以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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