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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(qbushi是什么意思，bushi是什么意思中文翻译uán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　bushi是什么意思，bushi是什么意思中文翻译g>分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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