大家好，来看一(yī)则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题危害(hài)国(guó)家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）53231323是什么意思？ 53231323可以弹哪些歌统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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