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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商乔布斯为什么把苹果给库克。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quà乔布斯为什么把苹果给库克n)商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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