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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础作出指示和做出指示区别在哪，作出指示还是做出设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网(wǎ作出指示和做出指示区别在哪，作出指示还是做出ng)络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业(yè)链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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