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　　美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全(quán)中国为什么叫兔子国审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过(guò)美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长中国为什么叫兔子国鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。中国为什么叫兔子国>存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。