大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法对美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢(h80寸电视尺寸长宽多少uān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购金额(é)占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市80寸电视尺寸长宽多少场的供应优势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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