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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合作。202儿童兴趣班有哪些项目排名，十大最无用的兴趣班2年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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