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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú太原私立小学有哪些，太原私立小学有哪些排名)，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、太原私立小学有哪些，太原私立小学有哪些排名长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国太原私立小学有哪些，太原私立小学有哪些排名产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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