单倍行距是多少

　　大家(jiā)好，来(lái)看一(yī)则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额(é)提升，以(yǐ单倍行距是多少)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 单倍行距是多少