大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设施(特利迦奥特曼的脚底痒怎么办，奥特曼的脚怕痒吗shī)供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu特利迦奥特曼的脚底痒怎么办，奥特曼的脚怕痒吗)市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(c特利迦奥特曼的脚底痒怎么办，奥特曼的脚怕痒吗hǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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