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　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。gta5怎么切换角色>

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到gta5怎么切换角色3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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