大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫三角函数中cscx等于什么，三角函数中cscx等于什么意思保持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国外三三角函数中cscx等于什么，三角函数中cscx等于什么意思星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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