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　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审查。中国到美国几小时飞机，中国到美国多长时间飞机

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(r中国到美国几小时飞机，中国到美国多长时间飞机ù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国(guó)网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商中国到美国几小时飞机，中国到美国多长时间飞机(shāng)采购金额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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