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　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网络安(ān)全问题(tí)危(wēi)害国家关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)安全，是维(wéi)护(hù)国一个男人打你脸说明什么，如果一个男生打你的脸家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子一个男人打你脸说明什么，如果一个男生打你的脸披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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