大家好(hǎo)，来看一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国(guó)国(guó)家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆竹荪煮多久(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国竹荪煮多久(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制，或(huò)将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积竹荪煮多久设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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