大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进(jìn)行了(le)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国市场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 9本番什么意思 日语里本番什么意思4.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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