大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) 安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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