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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查(chá)的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zà一立方分米等于多少升 一立方分米等于多少斤i)华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外N一立方分米等于多少升 一立方分米等于多少斤AND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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