大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn厦门面积多少万平方公里，厦门岛内多大面积)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品厦门面积多少万平方公里，厦门岛内多大面积

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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